特許
J-GLOBAL ID：200903064693614930
薄膜太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145521
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343715
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 光電変換層の裏面の反射層の凹凸を大きくし、光を散乱させ薄膜太陽電池の光電変換効率を改善する。【構成】 基板1の表面に第1の凹凸層2と第2の凹凸層3を形成する。第2の凹凸層のRaは第1の凹凸層のRaよりも大きい。第2の凹凸層3を形成するとき蒸着速度をたとえば50Å/秒以上とする。
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成された第1の凹凸層と、反射層となる第2の凹凸層と、第2の凹凸層の表面に形成された光電変換層とよりなり、第2の凹凸層の中心線平均粗さ(Ra)は40nm以上1μm以下であり、第1の凹凸層のRaは第2の凹凸層のRaより小であることを特徴とする薄膜太陽電池。
引用特許：
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