特許
J-GLOBAL ID：200903064693762549
フォトマスクの回路パターン部の修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110339
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307420
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 FIB修正方法とレーザー修正方法とのそれぞれの利点を利用して、欠陥部の的確な検出と欠陥修正精度の向上を図ることができるフォトマスクの回路パターン部の修正方法を提供する。【解決手段】 フォトマスクの回路パターン部に存在するパターン残留欠陥部の修正方法において、残留欠陥部22と重複する領域23にレーザーを照射し、残留欠陥部22を新規欠損欠陥部24にする工程と、フオーカス・イオン・ビームの照射により前記新規欠損欠陥部24の修正を行う工程とを施す。
請求項（抜粋）：
フォトマスクの回路パターン部に存在するパターン残留欠陥部の修正方法において、(a)残留欠陥部と重複する領域にレーザーを照射し、残留欠陥部を新規欠損欠陥部にする工程と、(b)フオーカス・イオン・ビームの照射により前記新規欠損欠陥部の修正を行う工程とを施すことを特徴とするフォトマスクの回路パターン部の修正方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 W
, G03F 1/08 V
