特許

J-GLOBAL ID：200903064696563504

アッシング方法、ドライエッチング装置、電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置

発明者： 三須 仁
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-265748
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103944
出願日： 2002年09月11日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】ドライエッチングチャンバー内でのアッシング方法等を提供すること。【解決手段】この発明では、エッチング工程終了後であってアッシング工程前に、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素に対して反応性を有する気体、例えば水素をドライエッチング装置内に導入することによって、上記残留物と反応させる。これによって、その後のドライエッチングチャンバー内アッシングの剥離除去性能悪化が防止される。また、ドライエッチングチャンバーおよびアッシングチャンバーは、プロセスガスの種類や減圧度(真空度)こそ異なるものの、同等な設備であることから、これらの設備を工夫したり、流用することによってエッチングチャンバー内でもアッシングが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

エッチング工程終了後に使用されるアッシング方法において、 アッシング工程前に、エッチングプロセスガスに含まれるフッ素系ガスおよびその生成物に対して反応性を有する気体をドライエッチングチャンバー内に導入する工程を有し、前記アッシング工程を前記ドライエッチングチャンバー内で行うことを特徴とするアッシング方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 104H

Fターム (6件)：

5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004FA08