特許

J-GLOBAL ID：200903064699961713

半導体装置の製造方法

発明者： 青山 敬幸 ,  有本 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245020
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068662
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 特に多結晶半導体層を用いた半導体装置の製造方法に関し、グレインサイズが小さい多結晶半導体層を安定に作成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 (a)下地基板の表面上にアモルファス半導体層を厚さ約5nm〜約30nm堆積する工程と、(b)前記アモルファス半導体層に熱処理を加え、所定粒径を有する第1の多結晶半導体層に変換する工程と、(c)前記第1の多結晶半導体層上に下地多結晶の粒径を承継する条件で第2の多結晶半導体層を堆積する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

(a)下地基板の表面上にアモルファス半導体層を厚さ約5nm〜約30nm堆積する工程と、(b)前記アモルファス半導体層に熱処理を加え、所定粒径を有する第1の多結晶半導体層に変換する工程と、(c)前記第1の多結晶半導体層上に下地多結晶の粒径を承継する条件で第2の多結晶半導体層を堆積する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/62 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (43件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040DC10 ,  5F040EC02 ,  5F040EC06 ,  5F040EC07 ,  5F040EC11 ,  5F040EF02 ,  5F040EK05 ,  5F040FB01 ,  5F040FB04 ,  5F040FC13 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB13 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG01 ,  5F048BG14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭64-007488
  
• 特開平4-287929
  
• 特開昭64-048411
  
• 特開昭63-048865