特許

J-GLOBAL ID：200903064708590880

半導体装置の製造方法及び吸着コレット

発明者： 加藤 禎胤 ,  藤沢 哲也 ,  久保田 義浩 ,  澤畑 宏治 ,  今村 武史 ,  西村 隆雄 ,  青木 広志 ,  愛場 喜孝 ,  森屋 晋 ,  牧野 豊 ,  三澤 洋
出願人/特許権者： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-212886
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049127
出願日： 2007年08月17日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】半導体装置の高信頼性を実現させる。【解決手段】ダイシングシート20の一方の主面に置かれた半導体素子11を、当該ダイシングシート20の他方の主面側から押し上げ、押し上げられた半導体素子11上に、吸着コレット100を近接配置する。そして、半導体素子11の表面に気体を噴出し、気体を排出する。更に、半導体素子11を、吸着コレット100に保持しつつダイシングシート20から剥離する。そして、半導体素子11を、吸着コレット100に保持しつつ支持部材上に搭載する。これにより、半導体装置の高信頼性が実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ダイシングシートの一方の主面に置かれた半導体素子を、当該ダイシングシートの他方の主面側から押し上げる工程と、 押し上げられた前記半導体素子上に、吸着コレットを近接配置する工程と、 前記半導体素子の表面に気体を噴出する工程と、 前記気体を排出する工程と、 前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ前記ダイシングシートから剥離する工程と、 前記半導体素子を、前記吸着コレットに保持しつつ支持部材上に搭載する工程と、 を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/67

FI (3件)：

H01L21/52 F ,  H01L21/78 Y ,  H01L21/68 E

Fターム (17件)：

5F031CA13 ,  5F031DA13 ,  5F031DA15 ,  5F031GA23 ,  5F031HA78 ,  5F031MA35 ,  5F031MA40 ,  5F031NA05 ,  5F031NA14 ,  5F031NA15 ,  5F031PA21 ,  5F047FA04 ,  5F047FA08 ,  5F047FA25 ,  5F047FA62 ,  5F047FA66 ,  5F047FA67

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平03-079042号公報