特許

J-GLOBAL ID：200903064713333771

半導体装置およびその製造方法

発明者： 須黒 恭一 ,  飯沼 俊彦 ,  圷 晴子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251816
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097387
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】pn接合リーク電流の増加を招くことなく、浅い不純物拡散層の表面にCoSi2 層を形成すること。【解決手段】n+ 型不純物拡散層13の表面にCoSi層を選択的に形成し、次にCoSi層上に非晶質Si層を形成し、次に熱処理により、非晶質Si層16中のSi原子をCoSi層15を介して、非晶質Si層16の表面まで固相拡散させ、n+ 型不純物拡散層13と非晶質Si層16との界面にエピタキシャルSi膜17を形成し、最後にCoSi層15をエピタキシャルSi膜17およびn+ 型不純物拡散層13のそれぞれと反応させ、n+ 型不純物拡散層13と接合を形成するCoSi2 層18を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体領域上に設けれたエピタキシャル半導体膜と、このエピタキシャル半導体膜上に設けられ、半導体の組成比が金属の組成比よりも大きい、前記金属と前記半導体からなる合金層とを具備してなり、前記エピタキシャル半導体膜は前記金属を含み、その濃度が1×1012cm-3以上1×1016cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/78 301 P