特許
J-GLOBAL ID：200903064722089468
磁性メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276576
公開番号（公開出願番号）：特開2001-014843
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。【解決手段】 非磁性基板10上には、第一磁性層12,グラニュラ層14,第二磁性層16が順に積層形成される。グラニュラ層14は、絶縁性マトリクス20中に導電性微粒子22を分散した構造となっており、例えば数百nm程度の膜厚に形成される。グラニュラ層14の場合、膜中に導電性微粒子22が存在するため、導電性微粒子22の隙間を電子がトンネルすれば電流が流れるようになる。従って、膜厚が厚くても、グラニュラ層12中をトンネル電流が流れるようになる。
請求項（抜粋）：
第一の強磁性膜と第二の強磁性膜の間にトンネル電流を制御するスペーサ層を積層形成した磁性メモリにおいて、前記スペーサ層を、絶縁性マトリクス中に導電性微粒子を分散したグラニュラ膜によって形成したことを特徴とする磁性メモリ。
IPC (4件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01F 10/30
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 A
, H01F 10/30
, H01L 43/08 Z
5E049AA04
, 5E049AC00
, 5E049BA06
, 5E049DB14
