特許

J-GLOBAL ID：200903064727558946

非単結晶シリコン半導体

発明者： 斉藤 恵志 ,  狩谷 俊光 ,  青池 達行 ,  幸田 勇蔵 ,  丹羽 光行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119844
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291135
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 不純物のドーピング効率が良く、かつ不純物の拡散がしにくいと共に、電荷の移動はしやすく、薄膜でも使用可能な非単結晶シリコン半導体を提供する。【構成】 少なくともシリコン原子と、水素原子又はハロゲン原子を含有する非単結晶シリコン半導体膜中に、マイクロボイドが、平均半径3.5Å以下で密度1×1019(cm-3)以下存在させる。

請求項（抜粋）：

少なくともシリコン原子と水素原子又は/及びハロゲン原子を含有する非単結晶シリコン半導体膜において、該半導体膜中に存在するマイクロボイドの平均半径が3.5Å以下で密度が1×1019(cm-3)以下であることを特徴とする非単結晶シリコン半導体膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/10 A ,  H01L 29/78 311 H