特許

J-GLOBAL ID：200903064728923427

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 岡本 圭史 ,  吉見 雅士
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038274
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243704
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 低温プラズマCVD法で形成する結晶質シリコン系薄膜光電変換層の成膜速度を高速化することによって、光電変換装置の生産効率を高めるとともにその性能をも改善する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置に含まれる少なくとも結晶質光電変換層をプラズマCVD法で堆積する条件として:プラズマ反応室内の圧力が5Torr以上であり;その反応室内において2つの放電電極が2cm以下の間隔で対向配置させられており、少なくとも一方の放電電極の対向面上において半導体層を堆積させるべき基板の周縁から対向主面に平行な方向に1〜5cmの距離だけ隔てられた帯域内の少なくとも一部に1〜5mmの高さの隆起部が設けられていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換装置は基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットの少なくとも1つはプラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層と、逆導電型半導体層とを含むものであり、前記光電変換ユニットに含まれる少なくとも前記結晶質光電変換層を前記プラズマCVD法で堆積する条件として、プラズマ反応室内の圧力が5Torr以上であり、前記反応室内において第1の放電電極上に前記基板が配置され、前記第1の放電電極に対向して第2の放電電極が配置され、前記第1と第2の放電電極の互いに対向する主面は2cm以下の距離で隔てられており、前記第1と第2の放電電極の少なくとも一方の前記対向主面上において、前記基板の周縁から前記対向主面に平行な方向に1〜5cmの範囲内の距離だけ隔てられた帯域内の少なくとも一部において1〜5mmの高さの隆起部が設けられていることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X

Fターム (24件)：

5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045DA68 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CA15 ,  5F051CA23 ,  5F051CA35 ,  5F051DA04