特許
J-GLOBAL ID：200903064730057028
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053508
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317472
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】小型な半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】この半導体装置では、BT樹脂含浸ガラスクロス配線基板等のインナーリード形成面において、モールドラインMの直下に、第1のソルダーレジスト層の上に第2のソルダーレジスト層が積層された所定の幅の突起部が形成されている。そして、このような配線基板の所定の位置に半導体素子がワイヤボンディングにより実装され、実装部がモールド樹脂層により封止されている。さらに、配線基板の他面にはんだバンプが形成されている。そしてこのような半導体装置は、予め配線基板にモールドラインMに合わせて形成されたスリット孔を用いて、切り離される。この構造では、モールド工程で、金型の当接面から樹脂が外側にはみ出してバリ等を生じることがないので、薄く小型で外観および特性の良好な樹脂封止型半導体装置が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体装置であって、樹脂含浸ガラスクロス基板の少なくとも一方の主面に配線層が配設された配線基板と、前記配線基板の前記主面に搭載され実装された半導体素子と、この半導体素子の外側を被覆し封止するモールド樹脂層と、前記配線基板の他方の主面に設けられた複数の外部接続端子とを備え、前記モールド樹脂層の外形層の直下において、このモールド樹脂層と前記配線基板との間に、絶縁樹脂から成る突起部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/56 T
