高品質シリコン単結晶の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-188598
公開番号（公開出願番号）：特開2000-016897
出願日： 1998年07月03日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】CZ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる大径長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。【解決手段】育成時の単結晶の凝固点から1250°Cまでの温度範囲の部分において、中心軸に平行な垂直方向の温度勾配が、結晶中心部では2.6°C/mm以上、外周面部では中心部よりも小さい温度勾配であって、かつリング状酸化誘起積層欠陥の外径が育成された結晶の直径の0〜60%の範囲に含まれる条件にて育成する、高品質シリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

育成時の単結晶の凝固点から1250°Cまでの温度範囲の部分において、結晶の引き上げ軸に平行な垂直方向の温度勾配が、外周面部の方が中心部よりも小さく、かつ中心部では2.6°C/mm以上であり、そしてリング状酸化誘起積層欠陥の外径が育成された結晶の直径の0〜60%の範囲に含まれる条件にて育成することを特徴とする、高品質シリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502 H

Fターム (7件)：

4G050FF51 , 4G050FF55 , 4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF00 , 4G077EH06 , 4G077EH09

前のページに戻る