特許

J-GLOBAL ID：200903064734208721

半導体装置

発明者： 金岡 竜範
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332239
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193138
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 タンタル酸化膜と上部電極膜との間の反応を阻止することにより、リーク電流の増大を防止できる。【構成】 キャパシタを、シリコン基板1上に設けられた下部電極膜5と、下部電極膜5上にシリコン窒化膜14及びタンタル酸化膜15を順次積層して成る誘電体膜と、タンタル酸化膜15上に設けられタンタル酸化膜15側にタンタル窒化膜17が形成された上部電極膜19とで構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた下部電極膜と、上記下部電極膜上にシリコン窒化膜及びタンタル酸化膜を順次積層して成る誘電体膜と、上記誘電体膜上に設けられ上記誘電体膜側に金属タンタル膜が形成された上部電極膜とから成るキャパシタを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C