特許
J-GLOBAL ID:200903064736890465

多層配線基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-091428
公開番号(公開出願番号):特開平11-289165
出願日: 1998年04月03日
公開日(公表日): 1999年10月19日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 信頼性の高いビア接続を有し、高密度実装や高密度配線化が可能かつプロセスの簡略化を図れる多層配線基板の製造方法の提供。【解決手段】 第1の導電体層に、バンプを設け、バンプ形成面に絶縁体層3を介して導電体層1bを積層・配置する。これを加圧してバンプの先端部を絶縁体層3に圧入・貫挿させて導電体層1bに接続して両面導体層張りコア積層板を形成する。コア積層板の両面導電体層を配線パターニングし、コア配線基板を形成し、少なくともその一主面に絶縁体層5a,5bを形成し、コア配線基板の配線パターンに対する接続用のビアを形設する。これを含む絶縁体層5a,5b面に導電性メッキ層6a,6bを形成し、導電性メッキ層6a,6bを配線パターニングする。
請求項(抜粋):
層間絶縁体層を圧入・貫挿した導電性バンプでスルホール接続されたコア配線基板と、前記コア配線基板の少なくとも一主面に絶縁体層を介して積層形成され、かつコア配線基板の配線パターンにビア接続する配線パターンとを有する多層配線基板であって、前記積層形成された配線パターンが複数層であることを特徴とする多層配線基板。
FI (3件):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 K
引用特許:
審査官引用 (2件)

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