特許
J-GLOBAL ID:200903064736897036

半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-157387
公開番号(公開出願番号):特開平7-078796
出願日: 1994年07月08日
公開日(公表日): 1995年03月20日
要約:
【要約】【目的】この発明は、製造装置におけるスペ-ス効率及び投資効率を大幅に向上させると共に、半導体素子の大幅な薄型化を達成する。【構成】ベ-スプレ-ト25の上に冷却プレ-ト24を設け、この冷却プレ-ト24の裏面に冷却及び加熱の手段であるサ-モモジュ-ル30を複数個取り付け、前記ベ-スプレ-ト25の内部に冷却水を循環させる流路27a を形成し、この流路27a は放熱器27とつなげられる。前記冷却プレ-ト24の上に半導体ウエハを固定するチャックプレ-ト28を設け、このチャックプレ-ト28における上面の一部に多孔質材29を形成し、チャックプレ-ト28の内部に、図示せぬ供給手段によって液体又は気体を供給する供給路28a を形成し、この供給路28a を真空又は負圧にする図示せぬ真空引き手段を、チャックプレ-ト28の近傍に設けている。従って、スペ-ス効率及び投資効率を大幅に向上させることができる。
請求項(抜粋):
半導体基板を固定するチャックプレ-トと、前記チャックプレ-トの上面の一部に設けられた多孔質材と、前記チャックプレ-トの内部に設けられ、前記多孔質材と連結された供給路と、前記供給路に液体を供給する供給手段と、前記供給路を真空にする真空引き手段と、前記チャックプレ-トを冷却する冷却手段と、前記チャックプレ-トを加熱する加熱手段と、前記半導体基板を研削する研削手段と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (4件):
H01L 21/301 ,  B23Q 3/08 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 35/32
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭63-256327
  • 特開昭62-124844
  • 特開昭63-256327
全件表示

前のページに戻る