特許
J-GLOBAL ID：200903064737640365
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030409
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229190
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 チャネル移動度を改善しオン抵抗を効果的に低減できるトランジスタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 n+ 型及びn- 型とからなる炭化珪素半導体層1,2及びp型半導体層3からなり、その主表面が(0001-)カーボン面であり六方晶系の単結晶炭化珪素よりなる。半導体層3の表層部にn+ 型ソース領域5が形成され、溝7が主表面から領域5と半導体層3を貫通して半導体層2に達するとともにその側面が[11-00]方向に平行に形成されている。ゲート絶縁膜がウエットの熱酸化により形成される。これによりチャネル移動度が向上しオン抵抗が低減できる炭化珪素半導体装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の低抵抗半導体層と第1導電型の高抵抗半導体層と第2導電型の半導体層とが順次積層された六方晶系の単結晶炭化珪素よりなる半導体基板と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成された第1導電型の半導体領域と、前記半導体基板の主表面から前記半導体領域と前記半導体層を貫通し前記高抵抗半導体層に達するとともに、略[11-00]方向に対して平行である側面を有する溝と、少なくとも前記溝の側面の表面に形成されるとともに、ウエット雰囲気の熱酸化で形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、少なくとも前記半導体領域の表面に形成された第1の電極と、前記低抵抗半導体層の裏面に形成された第2の電極とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 652 T
