特許

J-GLOBAL ID：200903064752392610

半導体装置

発明者： 伊藤 達志 ,  北山 彰子 ,  浜田 孝利 ,  山口 美穂
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-187420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102510
出願日： 1986年05月01日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：

【要約】【課題】表面実装時の熱衝撃に耐え、実装後の耐湿信頼性の低下現象が生じない半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子が封止樹脂で封止されている半導体装置であり、上記半導体素子における半導体チップと封止樹脂との接着が、上記半導体チップにおけるケイ素と封止樹脂におけるケイ素との酸素架橋を主体として行われたものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子が封止樹脂で封止されている半導体装置であって、半導体素子における半導体チップと封止樹脂との接着が、上記半導体チップにおけるケイ素と封止樹脂におけるケイ素との酸素架橋を主体として行われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08L 63/00 NKT ,  C08G 59/18 NKK

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-082438
  
• 特開昭62-257758