特許

J-GLOBAL ID：200903064759348560

ドライエッチング方法

発明者： 尾山 正俊 ,  佐藤 仁昭 ,  金清 任光 ,  光田 明彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249583
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104221
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム合金のエッチングにおいて下地SiO2膜表面に残渣のないエッチングを行うことができるドライエッチング方法を提供する。【構成】アルミニウム合金をハロゲン系ガスのプラズマによってエッチングする方法において、前記ハロゲン系ガスのプラズマによるエッチング処理前にBCl3ガス、またはBCl3リッチなガスのプラズマにより、アルミニウム合金の被エッチング表面に形成されている酸化物を除去する。【効果】前記BCl3ガス、またはBCl3リッチなガスのプラズマによりアルミニウム合金表面をエッチングすることで、下地SiO2膜表面に残渣のないアルミニウム合金膜エッチングを行うことができる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム合金をハロゲン系ガスのプラズマによってエッチングする方法において、前記ハロゲン系ガスプラズマによるエッチング処理前にBCl3ガス、またはBCl3リッチなガスのプラズマによって、前記アルミニウム合金の被エッチング面に形成されたAl2O3を除去する工程を有することを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-011167
  
• 特開昭61-134024