特許
J-GLOBAL ID：200903064759818745
混成集積回路のヒートシンク構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109944
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 第1と第2ヒートシンクの間の隙間を小さくし熱伝導性を良くして、放熱性を良くし品質を向上させることを目的とする。【構成】 第1と第2ヒートシンクの穴を貫通するカシメピンを使用して第1と第2ヒートシンクを接合する。勿論、接合樹脂をも使用する。【効果】 第1と第2ヒートシンクの間の隙間が小さくなり放熱性を向上させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
第1ヒートシンクの一主表面に半導体素子等の発熱素子を取り付け、この第1ヒートシンクを更に第2ヒートシンクに取りつけた混成集積回路のヒートシンク構造において、第1と第2ヒートシンクに穴をあけ、これにカシメピンを通し、かかるカシメピンで第1と第2ヒートシンクをカシメ接合させかつこれらの間に接合樹脂を介在させたことを特徴とする混成集積回路のヒートシンク構造。
IPC (2件)：
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