特許
J-GLOBAL ID：200903064762441342
ドライブ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222812
公開番号（公開出願番号）：特開平6-078525
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 IGBTに代表されるMOS-バイポーラ複合素子を高速ターンオンさせると共に部品点数が少なく高信頼度のドライブ回路を得る。【構成】 IGBT1のゲートーエミッタ間の静電容量を充電する電流を通電するための第1のスイッチング素子であるPチャンネルタイプのFET15、このFET15に直列接続され、かつ上記IGBT1のゲートーエミッタ間に設けられた第2のスイッチング素子であるNチャンネルタイプのFET16、陽極側端子が上記FET15のソース側端子に接続され、陰極側端子が上記IGBT1のエミッタに接続されたコンデンサ17および受信回路19から構成するとともに、基準電位の異なる2つドライブ信号を作るために受信回路19内にフオトカプラ24を設け、PチャンネルタイプのFET15とNチャンネルタイプのFET16とをそれぞれ別個に駆動する。
請求項（抜粋）：
MOS-バイポーラ複合素子のゲートー陰極間の静電容量を充電する電流を通電するための第1のスイッチング素子と、この第1のスイッチング素子に直列接続され、かつ上記MOS-バイポーラ複合素子のゲートー陰極間に設けられた第2のスイッチング素子と、外部からのドライブ信号に基づいて上記第1と第2のスイッチング素子を交互にオンオフさせることにより上記MOS-バイポーラ複合素子をスイッチング動作させる受信回路とを備えたドライブ回路において、上記第1のスイッチング素子を、陰極側端子が上記MOS-バイポーラ複合素子のゲートに接続されたPチャンネルタイプのFETで構成すると共に、上記受信回路を、上記ドライブ信号からフォトカプラを用いて基準電位の異なる2つのドライブ信号を作り、一方のドライブ信号で上記第1のスイッチング素子を駆動し、他方のドライブ信号で上記第2のスイッチング素子を駆動する構成としたことを特徴とするドライブ回路。
引用特許：
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