特許
J-GLOBAL ID：200903064764695708
セラミック多層基板の製造方法および未焼成の複合積層体
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001010200
公開番号（公開出願番号）：WO2002-043455
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2002年05月30日
要約：
複数のセラミックグリーン層17を積層した未焼成の多層集合基板12の一方主面および他方主面に第1収縮抑制層13、第2収縮抑制層14をそれぞれ有する、未焼成の複合積層体11を作製する第1工程と、第1収縮抑制層13側から、第1収縮抑制層13を貫通し、多層集合基板12の一部に達する切り込み溝16を形成する第2工程と、複合積層体11を焼成する第3工程と、第1収縮抑制層13および第2収縮抑制層14を除去して、焼結した多層集合基板11を取り出す第4工程と、多層集合基板12を切り込み溝16に沿って分割し、複数のセラミック多層基板を取り出す第5工程と、を備える、セラミック多層基板の製造方法。これによって、その焼成時における平面方向の収縮を抑制して、寸法精度が高く、高い信頼性を有するセラミック多層基板を生産性良く製造できる。
請求項（抜粋）：
(1) セラミック粉末を含む複数のセラミックグリーン層を積層してなる未焼成の多層集合基板の一方主面および他方主面に、前記セラミック粉末の焼結条件下では実質的に焼結しない難焼結性粉末を含む第1および第2収縮抑制層をそれぞれ有する、未焼成の複合積層体を作製する第1工程と、
(2) 前記第1収縮抑制層側から、前記第1収縮抑制層を貫通し、前記多層集合基板の一部に達する第1切り込み溝を形成する第2工程と、
(3) 前記未焼成の複合積層体を、前記セラミック粉末の焼結条件下で焼成する第3工程と、
(4) 前記第1および第2収縮抑制層を除去して、焼結済みの多層集合基板を取り出す第4工程と、
(5) 前記多層集合基板を前記第1切り込み溝に沿って分割し、複数のセラミック多層基板を取り出す第5工程と、
を備える、セラミック多層基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K3/46
, B28B11/00
, B28B11/12
H05K3/46 H
, B28B11/12
, B28B11/00 Z
