特許
J-GLOBAL ID：200903064765116159
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123862
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318126
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンをマスクとした注入処理やウェットエッチング処理を確実に行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に有機ARC膜2を形成する。有機ARC膜2上にレジストを塗布して露光および現像処理を施すことにより、所定のレジストパターン3を形成する。そのレジストパターン3をマスクとして、たとえばCF4とO2とを含むガスを用いて時間約15秒間のドライエッチング処理を、露出している有機ARC膜2に施すことにより、有機ARC膜2を除去して半導体基板1の表面を露出する。次に、レジストパターン3およびその直下に位置する有機ARC膜2をマスク材として所定の不純物イオン4を半導体基板1に注入することにより、露出した半導体基板1の表面に不純物領域5を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に露光光の反射を防止するための反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にレジストを塗布する工程と、塗布された前記レジストに写真製版処理を施すことによりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記反射防止膜に加工を施すことにより前記半導体基板の主表面の部分を露出して、前記レジストパターンと前記レジストパターンの直下に位置する前記反射防止膜の部分とによってマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして露出した前記半導体基板の主表面の部分に所定の不純物イオンを注入することにより、前記半導体基板の主表面の部分に不純物領域を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/266
, H01L 21/027
H01L 21/265 M
, H01L 21/30 574
