特許

J-GLOBAL ID：200903064766201702

底面給水型切り花栽培方法

発明者： 冨満 龍徳 ,  後藤 哲 ,  阿部 一則
出願人/特許権者： 大分県
代理人 (1件)： 尾股 行雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162572
公開番号（公開出願番号）：特開2000-078935
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 生育に応じて栽植距離を広げられるようにすることによって温室の利用効率を高めることができ、土壌消毒が省略でき、さらには肥料成分の流亡がないため水質汚染の危険もなく、技術的にも簡易化された切り花栽培方法を提供する。【解決手段】 生育に必要な肥料成分の全量を含む緩効性肥料をほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に埋め込んだ成型培土1に植えられた切り花苗3を、底面給水装置10上面の給水マット14上に載置し、成型培土底面から給水しながら生育させ、生育量に応じて成型培土を底面給水装置上面の給水マット上で移動・植え広げを行い、成型培土底面からの給水状態を維持したまま採花時まで底面給水装置上面の給水マット上で生育させる。

請求項（抜粋）：

生育に必要な肥料成分の全量を含む緩効性肥料をほぼ中央部または底面よりのほぼ中央部に埋め込んだ成型培土に植えられた切り花苗を、底面給水装置上面の給水マット上に載置し、成型培土底面から給水しながら生育させ、生育量に応じて成型培土を底面給水装置上面の給水マット上で移動・植え広げを行い、成型培土底面からの給水状態を維持したまま採花時まで底面給水装置上面の給水マット上で生育させることを特徴とする底面給水型切り花栽培方法。

IPC (4件)：

A01G 27/04 ,  A01C 21/00 ,  A01G 9/02 ,  A01G 27/06

FI (4件)：

A01G 27/00 502 C ,  A01C 21/00 B ,  A01G 9/02 F ,  A01G 27/00 502 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 植物栽培の灌水方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-032323   出願人：ユニチカ株式会社
• 底面給水栽培床装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221673   出願人：中村恵子