化合物半導体ウエハの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-011855
公開番号（公開出願番号）：特開2002-316893
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】クラック,欠けなどの少ないフリースタンディングの化合物半導体ウエハを得る。【解決手段】サファイア基板1の表面上に、少なくともサファイア基板1の側面を覆う保護膜2を形成する。次に、サファイア基板1の露出している部分の上に、GaN膜3(窒素を含む化合物半導体膜)をエピタキシャル成長させる。次に、サファイア基板1とGaN膜3とを、レーザ光の照射,基板の研磨,エッチング,切断等を利用して互いに分離させる。これにより、GaN膜3をフリースタンディングのウエハとして用いる。

請求項（抜粋）：

基板の上面及び側面のうちの一部を覆う閉環状の保護膜を形成する工程(a)と、上記工程(a)の後に、上記基板の上面及び側面のうち上記保護膜によって覆われていない領域の上に、窒素を組成に含む化合物半導体膜をエピタキシャル成長させる工程(b)と、上記工程(b)の後に、上記基板を除去する工程(c)とを含み、上記工程(a)で形成される保護膜は、上記工程(b)で形成される化合物半導体膜のエピタキシャル成長を阻害する機能を有するものであることを特徴とする化合物半導体ウエハの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 25/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 25/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (24件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TK11 , 5F041AA03 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045DB02

引用特許：

出願人引用 (8件)

窒化ガリウム厚膜の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-237167 出願人：日本電気株式会社
GaN基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-053414 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体結晶性膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-121301 出願人：日本電気株式会社

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