特許

J-GLOBAL ID：200903064777467631

ペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体を用いたテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート誘導体の製造方法

発明者： 池田 喜彦 ,  山根 猛夫 ,  加地 栄一 ,  石丸 研二
出願人/特許権者： 東ソー・アクゾ株式会社
代理人 (1件)： 箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329960
公開番号（公開出願番号）：特開平6-247980
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1994年09月06日
要約：

【要約】【構成】 (C6 F5 )2-n MgXn (nは0または1の整数を示し、Xはハロゲンを示す。)で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体のみをペンタフルオロフェニル基源として用いることを特徴とする、[(C6 F5 )4 B]2-n MgXn (式中、nは0または1の整数を示し、Xはハロゲンを示す。)で表されるテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート誘導体を製造する方法。【効果】 本発明によれば、ホウ素誘導体はカチオン錯体重合反応の助触媒の中間体として極めて重要な物質であるテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート誘導体を-70°Cの低温での反応が必要なペンタフルオロフェニルリチウムを用いることなくペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体より1工程で高収率で製造する方法を提供できる。

請求項（抜粋）：

次の一般式[I] BX3 [I][式中、Xはハロゲンあるいは次の一般式[II] OR [II](式中、Rは炭素数が1〜10の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良い。)で表される置換基あるいは次の一般式[III] NRR′ [III](式中、RおよびR′は同一のあるいは相異なる水素あるいは炭素数が1〜20の炭化水素基を示し、該炭化水素基には反応に影響を及ぼさない官能基を含んでいても良く、RおよびR′がそれぞれ結合して環を形成していても良い。)で表される置換基を示し、エーテル系溶媒との1対1の錯体を形成していても良い。]で表されるホウ素化合物を1当量に対し、次の一般式[IV] (C6 F5 )2-n MgXn [IV](式中、nは0または1の整数を示し、Xはハロゲンを示す。)で表されるペンタフルオロフェニルマグネシウム誘導体 3.7当量以上を反応させ、次の一般式[V] [(C6 F5 )4 B]2-n MgXn [V](式中、nは0または1の整数を示し、Xはハロゲンを示す。)で表されるテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート誘導体を製造する方法。