特許

J-GLOBAL ID：200903064777868423

高純度金属Siの製造方法

発明者： 長尾 元裕 ,  坂本 浩一 ,  草道 龍彦 ,  石田 斉
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346044
公開番号（公開出願番号）：特開平11-343111
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体用SiやMG-Siを用いなくとも、太陽電池用Siとして好適な5〜7Nといった高純度金属Siを製造することができる方法を提供する。【解決手段】 SiO2 を主成分とする原料から金属Siを製造する方法であって、炭素系物質を還元剤として用い上記原料を1500°C以上に加熱することによりSiOガスを発生させる工程と、上記SiOガスを800°C以下で加熱してSiに還元する工程を含む。SiOガスをSiに還元するにあたっては、還元剤として一酸化炭素ガス(COガス)及び/又は水素ガスを用いることが望ましく、SiOガスを発生させる工程において発生したSiOガスは冷却し固化して回収することが望ましい。

請求項（抜粋）：

SiO2 を主成分とする原料から金属Siを製造する方法であって、炭素系物質を還元剤として用い上記原料を1500°C以上に加熱することによりSiOガスを発生させる工程と、上記SiOガスを800°C以下で加熱してSiに還元する工程を含むことを特徴とする高純度金属Siの製造方法。