特許
J-GLOBAL ID：200903064777879603
半導体加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-289891
公開番号（公開出願番号）：特開平8-145832
出願日： 1994年11月24日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体加速度センサの測定精度改善【構成】 中央部が加速度に応じたたわみを生ずる半導体基板4、半導体基板の中央部に対向する位置に電極8を保持するために、周縁部10において半導体基板4に固着された絶縁板2とを有し、半導体基板4と電極8によって形成されるコンデンサの容量変化から加速度を測定する半導体加速度センサであって、周縁部10よりも電極8に近い側において、半導体基板4および絶縁板2に生じる熱応力または残留応力を吸収することにより、半導体基板4および絶縁板2に生じる不要なたわみを吸収する切り欠き20を設ける。
請求項（抜粋）：
中央部が加速度に応じたたわみを生ずる半導体基板と、半導体基板の中央部に対向する位置に電極を保持するために、周縁部において半導体基板に固着された絶縁板とを有し、半導体基板と電極によって形成されるコンデンサの容量変化から加速度を測定する半導体加速度センサであって、前記周縁部よりも電極に近い側において、半導体基板および絶縁板に生じるたわみのうち、測定すべき加速度によって生じるたわみ以外のたわみを吸収する吸収手段、を設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
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