特許
J-GLOBAL ID:200903064779075846
超電導磁石装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
明田 莞
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-207664
公開番号(公開出願番号):特開2000-037366
出願日: 1998年07月23日
公開日(公表日): 2000年02月08日
要約:
【要約】【課題】 被測定物の温度変化や測定用室温空間の温度変化による磁場補正用磁性体シムへの影響をなくし、高均一磁場を変動することなく安定性良く発生することができる超電導磁石装置を得る。【解決手段】 測定空間に配された被測定物Sに印加する主磁場を発生する円筒状の超電導磁石7と、超電導磁石7を囲繞して保冷するクライオスタット1と、超電導磁石7に対して測定空間側に配置され、前記主磁場の不均一を補正する磁場補正用の磁性体シム8’とを備えた超電導磁石装置において、前記磁性体シム8’はクライオスタット1の内部に配置されている。
請求項(抜粋):
測定空間に配された被測定物に印加する主磁場を発生する超電導磁石と、該超電導磁石を囲繞して保冷するクライオスタットと、前記超電導磁石に対して測定空間側に配置され、前記主磁場の不均一を補正する磁場補正用の磁性体シムとを備えた超電導磁石装置において、前記クライオスタットの内部に前記磁性体シムを配置したことを特徴とする超電導磁石装置。
IPC (3件):
A61B 5/055
, G01R 33/3873
, H01F 6/04 ZAA
FI (3件):
A61B 5/05 332
, G01N 24/06 520 E
, H01F 7/22 ZAA G
Fターム (4件):
4C096AB32
, 4C096CA02
, 4C096CA52
, 4C096CA70
引用特許:
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