特許

J-GLOBAL ID：200903064783762165

半導体装置の製造方法

発明者： 緒方 完 ,  小林 清輝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316553
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162185
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 トラップサイトを低減し、絶縁特性に優れた絶縁膜を形成する方法を得る。【解決手段】 ジクロロシランと亜酸化窒素とを含むガスを反応させて半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する。引続き、1TorrのN2 雰囲気中で温度900°Cのアニール1を施し、さらに、大気圧のN2 O雰囲気中で温度900°Cのアニール2を施す。これにより、Si-OH結合、Si-H結合からHが脱離し、その結合端にOまたはNが結合する。このため、トラップサイトが減少し、電気的特性に優れたシリコン酸化膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にSiとOとを含む絶縁膜を成膜した後、前記半導体基板に、圧力1Torr以下の不活性ガス雰囲気中の下で、時間5分以上30分以下、温度成膜温度以上1000°C以下の第1の熱処理をする工程と、前記第1の熱処理後、さらに、圧力1Torr以上大気圧以下のNOまたはN2 O雰囲気中の下で、時間5分以上30分以下、温度成膜温度以上1000°C以下の第2の熱処理をする工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P