特許
J-GLOBAL ID:200903064784187121
ビルドアップ基板形成用のコア基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松田 宗久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-129427
公開番号(公開出願番号):特開2000-323834
出願日: 1999年05月11日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【課題】 コア基板の上下面の配線回路間を微小径の金属柱で接続してなるコア基板の製造方法を得る。【解決手段】 第1金属層40上面に形成した第1レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第1貫通孔にめっき金属からなる第1金属柱60を形成する。次いで、第1レジスト層を除去した第1金属層40上面に第1絶縁層70を形成する。次いで、第1絶縁層70上面に形成した第2レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第2貫通孔にめっき金属からなる第2金属柱90を形成する。次いで、第2レジスト層を除去した第1絶縁層70上面に第2絶縁層100を形成する。その後、第1及び第2絶縁層70、100を積層してなる絶縁層10上面に、第1及び第2金属柱60、90を連ねてなる金属柱200に接合された第2金属層150を形成する。
請求項(抜粋):
次の工程を含むことを特徴とするビルドアップ基板形成用のコア基板の製造方法。a.基台上面に第1金属層を形成する工程。b.前記第1金属層上面にドライフィルムを貼着してなる第1レジスト層又は液状レジストを塗布して形成してなる第1レジスト層を形成する工程。c.前記第1レジスト層に、該第1レジスト層を上下に貫通する第1貫通孔を露光・現像処理により設けて、その第1貫通孔の底部に前記第1金属層上面を露出させる工程。d.前記第1貫通孔をめっき金属により埋めて、前記第1金属層に接合された第1金属柱を形成する工程。e.前記第1レジスト層を、第1金属層上面から除去する工程。f.前記第1金属柱が突出した第1金属層上面に第1絶縁層を形成して、その第1絶縁層に第1金属柱を埋め込む工程。g.前記第1絶縁層上面を平面研磨して、その第1絶縁層上面に前記第1金属柱の上端を露出させる工程。h.前記平面研磨して第1金属柱の上端を露出させた第1絶縁層上面にドライフィルムを貼着してなる第2レジスト層又は液状レジストを塗布して形成してなる第2レジスト層を形成する工程。i.前記第1金属柱直上の第2レジスト層に、該第2レジスト層を上下に貫通する第2貫通孔を露光・現像処理により設けて、その第2貫通孔の底部に前記第1金属柱の上端を露出させる工程。j.前記第2貫通孔をめっき金属により埋めて、前記第1金属柱に接合された第2金属柱を形成する工程。k.前記第2レジスト層を、第1絶縁層上面から除去する工程。l.前記第2金属柱が突出した第1絶縁層上面に第2絶縁層を形成して、その第2絶縁層に第2金属柱を埋め込む工程。m.前記第2絶縁層上面を平面研磨して、その第2絶縁層上面に前記第2金属柱の上端を露出させる工程。n.前記基台を第1金属層下面から除去する工程。o.前記第1絶縁層及び第2絶縁層を上下に積層してなる絶縁基板上面に、前記第1金属柱及び第2金属柱を上下に連ねてなる金属ポストに接合された第2金属層を形成する工程。
IPC (2件):
FI (2件):
H05K 3/40 K
, H05K 3/46 N
Fターム (31件):
5E317AA24
, 5E317BB04
, 5E317BB05
, 5E317BB11
, 5E317BB12
, 5E317BB13
, 5E317BB14
, 5E317CC32
, 5E317CC33
, 5E317CC44
, 5E317CD15
, 5E317CD18
, 5E317CD21
, 5E317CD27
, 5E317CD32
, 5E317GG14
, 5E346AA06
, 5E346AA41
, 5E346BB01
, 5E346CC54
, 5E346DD02
, 5E346DD03
, 5E346DD22
, 5E346DD47
, 5E346FF04
, 5E346FF35
, 5E346GG01
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346HH25
, 5E346HH26
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