特許

J-GLOBAL ID：200903064786100899

電界放出カソード素子

発明者： 伊藤 茂生 ,  渡辺 照男 ,  新山 剛宏
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260390
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094076
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 エミッタとゲートとの短絡時に、そのエミッタが形成されているブロックを分離独立できると共に、短絡時に溶解飛散物が原理的に飛散しない電界放出カソードを提供すること。【構成】 基板1上に形成したカソード導体2に複数の中抜き部を設け、この中抜き部に抵抗層3を形成する。この抵抗層3には複数の端子部を設けてカソード導体2と接続する。また、抵抗層3およびカソード導体2の上には絶縁層4が形成され、抵抗層3の上には複数のコーン状のエミッタ7が形成されると共に、エミッタ7の頂点部周囲の絶縁層4上にゲート導体5が形成される。エミッタ7とゲート導体5とが短絡すると、端子部が溶断するが、端子部上の絶縁層4により溶解物質は飛散しない。

請求項（抜粋）：

カソード導体の中抜き部に形成された抵抗層上に、複数の円錐状のエミッタと、該エミッタの頂点部周囲に位置するゲート導体とが形成されたスピント型の電界放出カソード素子において、前記カソード導体と前記抵抗層上に絶縁層が形成され、該絶縁層上に前記ゲート導体が形成されていると共に、前記カソード導体に前記抵抗層が複数の端子部を介して接続されており、該複数の端子部が、前記エミッタと前記ゲート導体との短絡時に流れる短絡電流により溶断されることを特徴とする電界放出カソード素子。