特許
J-GLOBAL ID：200903064787253737
レーザ光発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164066
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【構成】 半導体レーザ素子1からのレーザ光が入射される光導波路4が分極反転構造を有するLN-X基板(LiNbO3 のX基板)上に形成された光導波路素子である波長変換素子6を有し、光導波路4と半導体レーザ素子1とが近接するように配置し、光導波路素子6の主面を基板11に対し直角となるように部材20を介して固定する。【効果】 半導体レーザ素子1からのレーザ光を安定して光導波路4に導波させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子からのレーザ光が入射される光導波路を有する光導波路素子と、上記半導体レーザ素子および上記光導波路素子を実装するための基板とから成り、上記光導波路素子の上記光導波路と上記半導体レーザ素子とを近接させて配置し、上記光導波路素子の主面を上記基板に対し直角に配置したことを特徴とするレーザ光発生装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02F 1/37
, H01S 3/109
