特許

J-GLOBAL ID：200903064791276253

単結晶基板の評価方法

発明者： 斎藤 広明
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-199553
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028178
出願日： 2006年07月21日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】基板の表面及び内部の転位を検出できる基板の評価方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上10に形成された成長層(エピ層)12の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第1のエッチピットを形成する工程と、異方性ドライエッチングにより前記成長層の一部又は全部を除去し、表出した観察面に第1のエッチピット14を転写する工程と、前記観察面をアルカリエッチングし、第2のエッチピット16を形成する工程と、を備え、前記観察面に形成された第1のエッチピット14と第2のエッチピット16とにより、基板10の表面及び内部に存在する転位を検出する基板10の評価方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に形成された成長層の表面をアルカリエッチングし、前記成長層の表面に第1のエッチピットを形成する工程と、 異方性ドライエッチングにより前記成長層の一部又は全部を除去し、表出した観察面に第1のエッチピットを転写する工程と、 前記観察面をアルカリエッチングし、第2のエッチピットを形成する工程と、を備え、 前記観察面に形成された第1のエッチピットと第2のエッチピットとにより、基板の表面及び内部に存在する転位を検出する基板の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L21/66 N ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/306 S

Fターム (15件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA12 ,  4M106CB20 ,  4M106DH55 ,  5F004BA14 ,  5F004DA18 ,  5F004DB19 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004FA08 ,  5F043AA01 ,  5F043BB12 ,  5F043DD15 ,  5F043GG10