特許
J-GLOBAL ID：200903064791881297
発光ダイオード素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121266
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334218
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 GaP系発光ダイオード素子の組立工程における加圧によるクラック防止で、高信頼性化と高輝度化を図る。【構成】 GaP基板上にN型エピタキシャル結晶層及びP型エピタキシャル結晶層を成長させ、PN接合を形成した発光ダイオード素子の天面をエッチングで粗化する際に、天面電極周辺に所定幅の非エッチング部を設ける。【効果】 発光ダイオード素子の組立(ダイスボンディング、ワイヤーボンディング)工程におけるクラック防止に大きな効果がある。
請求項（抜粋）：
GaP基板上に液相エピタキシャル結晶成長法を用いてN型エピタキシャル結晶層及びP型エピタキシャル結晶層を成長させPN接合を形成した発光ダイオード素子において、同発光ダイオード素子の天面電極外周に、同天面のエッチング粗化部から分離する所定幅の非粗化領域を配置したことを特徴とする発光ダイオード素子。
引用特許：
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