特許
J-GLOBAL ID：200903064792005393
ショットキーバリア半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275818
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125937
出願日： 1996年10月18日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 ショットキーバリアを形成する実用的な金属材料が限定されていても、その金属材料と異なる障壁値を有するショットキーバリア半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体層2の表面に該半導体層と接触してショットキーバリアを形成する金属層が設けられてなるショットキーバリア半導体装置であって、前記半導体層に接する金属層が少なくとも2種類の金属材料からなる金属層3a、3bにより形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体層の表面に該半導体層と接触してショットキーバリアを形成する金属層が設けられてなるショットキーバリア半導体装置であって、前記半導体層に接する金属層が少なくとも2種類の金属材料からなるショットキーバリア半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/48 M
, H01L 29/48 G
