特許
J-GLOBAL ID：200903064800881173
半導体装置の設計方法およびそれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080387
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288318
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 実験計画法のRSMを用い、このRSFをプロセス・デバイス変数同士が独立でない場合、変数が増加した場合に効率良く作成して簡単かつ高精度な特性予測が可能な半導体装置の設計方法および半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板に主要プロセスであるMOSFETのイオン打ち込み工程の半導体装置に適用され、まずチャネルドーズ量X2をウェルドーズ量X1の変数に依存する関数近似式で表し、この関数近似式により変数範囲を決定してデザインテーブルを作成する(ステップ201,202)。続いて、このデザインテーブルに基づいて、シミュレーションあるいは実験を実行してしきい値Vthを求める(ステップ203〜205)。そして、これらのしきい値Vthからウェルドーズ量X1、チャネルドーズ量X2の2変数によりしきい値Vthを算出するRSFを作成する(ステップ206)。
請求項（抜粋）：
半導体装置のプロセス・デバイス特性を予測して、最適なプロセス・デバイス条件に設定して前記半導体装置を製造する半導体装置の設計方法であって、前記プロセス・デバイス特性の予測に実験計画法のRSMを使用し、変数となるプロセス・デバイス条件の第1の変数と第2の変数との間に相関がある場合に、前記第2の変数を前記第1の変数の関数近似式で表し、該関数近似式により前記第1の変数および前記第2の変数の変数範囲を決定してデザインテーブルを作成することを特徴とする半導体装置の設計方法。
IPC (2件)：
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