特許

J-GLOBAL ID：200903064801920857

高融点金属薄膜の成膜方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323187
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176823
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：

【要約】【構成】 予め、コンタクト・ホール3内のSi基板1上の自然酸化膜を除去しておき、該Si基板1を大気から遮断された状態に維持したまま、成膜初期には、H2 ガスに対するTiCl4 ガスの混合比を相対的に小とした状態でプラズマCVDを行って第1のTi膜5を成膜し、続いて、H2 ガスに対するTiCl4ガスの混合比を相対的に大として第2のTi膜7を成膜する。または、自然酸化膜除去後、Si基板の表面を窒化してからTi膜を成膜する。【効果】 基体にダメージを与えることなく、高融点金属薄膜を均一にカバレージよく成膜することができる。このため、高アクペクト比を有するコンタクト・ホールやビア・ホール内にバリヤメタルを形成するに際して本発明を適用すれば、優れたカバレージ、低抵抗のオーミック・コンタクト、低リーク電流を達成することができ、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく製造できる。

請求項（抜粋）：

高融点金属ハロゲン化物と水素とを含む混合ガスを用い、プラズマCVD法によって、基体上に高融点金属薄膜を成膜するに際し、前記成膜初期には、前記水素に対する前記高融点金属ハロゲン化物の混合比を相対的に小とし、その後は、該混合比を相対的に大とすることを特徴とする高融点金属薄膜の成膜方法。

IPC (6件)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205