特許

J-GLOBAL ID：200903064808020134

光制御デバイス

発明者： 北村 直樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239973
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075195
出願日： 1992年08月17日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 光制御デバイスの特性を歩留り良く、常に安定して得る。【構成】 バッファ層3と基板1の間、及びバッファ層3と電極4a,4bの間に前記バッファ層3と異なる材料の層を挿入した光制御デバイスである。これらの層のイオン伝導率の違いにより基板1から混入しバッファ層内で移動するLiイオンの量を減らすことができる。従ってDCドリフトを低減することができ、常に安定な動作が得られる。

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有するLiNbO3 又はLiTaO3 基板上に形成された光導波路、前記光導波路上に形成されるバッファ層、前記光導波路近傍の前記バッファ層上に形成される複数本からなる電極及び前記電極上または前記電極と前記バッファ層の間に形成される導電性膜からなる導波路型の光制御デバイスにおいて、前記バッファ層と前記基板の間に前記バッファ層よりイオン伝導率の低い材料からなる層を挿入したことを特徴とする光制御デバイス。