特許

J-GLOBAL ID：200903064808251756

半導体素子の製造方法

発明者： 楠本 修 ,  横川 俊哉 ,  内田 正雄 ,  高橋 邦方 ,  北畠 真 ,  上野山 雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315169
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135591
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 500°C以上の高温で,かつMeV程度の高エネルギーのイオン注入に用いることができる金属マスクを用いた半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 n型シリコンカーバイド基板1上に第1のAu薄膜2を堆積して、レジストパターン3を形成し、第1のAu薄膜2を通して電解液中で電流を流し、電解めっき法によって第2のAu薄膜4を堆積する。レジストパターン3を除去した後、第1のAu薄膜1と第2のAu薄膜4からなる金属マスクを通してアルミニウム5をイオン注入することによってp型領域6を形成する。第1のAu薄膜と第2のAu薄膜は、Auの融点が1064°Cであるので、例えば500°C程度のイオン注入に耐える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の金属薄膜を堆積する工程と、前記第1の金属薄膜上に所望のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの上から第2の金属薄膜を堆積する工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを含む工程によって前記第1の金属薄膜と第2の金属薄膜からなる金属のマスクを作製し、前記金属マスクを通して、500°C以上の高温にてイオン注入法によって半導体基板に不純物をドーピングすることを特徴とした半導体素子の製造方法。