特許
J-GLOBAL ID:200903064819530169
凹型微細形状のアレイ状パターン形成方法及びその形成方法を用いて製作される平板型レンズアレイ及び液晶表示素子及び平板型オイルトラップ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
樺山 亨 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-031899
公開番号(公開出願番号):特開2000-231007
出願日: 1999年02月09日
公開日(公表日): 2000年08月22日
要約:
【要約】【課題】マイクロレンズアレイの製作等に応用される新規な方式の凹型微細形状のアレイ状パターン形成方法を提供する。【解決手段】平面基板11の基板面に1次元または2次元に配列した略球形状または略多角形形状の複数の凹型微細形状のアレイ状パターンを形成する形成方法であり、平面基板11の表面に耐エッチング性の保護層12Aを形成する工程と、上記基板表面の保護層に所望のパターンを形成する工程と、上記保護層付き平面基板11の基板面をドライエッチング法によって等方的及び/または異方的にエッチングし、平面基板の基板面に、断面が略半円形状または略V溝形状の凹部14Aを形成する第1ドライエッチング工程と、上記第1ドライエッチング工程後に上記平面基板表面の保護層を除去する工程と、上記保護層を除去した後に上記平面基板の基板面全面をエッチングする第2エッチング工程とを有する。
請求項(抜粋):
平面基板の基板面に1次元または2次元に配列した略球形状または略多角形形状の複数の凹型微細形状のアレイ状パターンを形成する形成方法において、(1)平面基板の表面に耐エッチング性の保護層を形成する工程と、(2)上記基板表面の保護層に所望のパターンを形成する工程と、(3)上記保護層付き平面基板の基板面をドライエッチング法によって等方的及び/または異方的にエッチングし、上記平面基板の基板面に、断面が略半円形状または略V溝形状の凹部を形成する第1ドライエッチング工程と、(4)上記第1ドライエッチング工程後に上記平面基板表面の保護層を除去する工程と、(5)上記保護層を除去した後に上記平面基板の基板面全面をエッチングする第2エッチング工程と、を有することを特徴とする凹型微細形状のアレイ状パターン形成方法。
IPC (3件):
G02B 3/00
, C03C 15/00
, G02F 1/1335
FI (3件):
G02B 3/00 A
, C03C 15/00 A
, G02F 1/1335
Fターム (18件):
2H091FA29Y
, 2H091FB06
, 2H091FB07
, 2H091FC01
, 2H091FC14
, 2H091FC17
, 2H091FC19
, 2H091FC26
, 2H091FC29
, 2H091LA03
, 2H091LA12
, 2H091LA16
, 2H091MA07
, 4G059AA08
, 4G059AA11
, 4G059AC01
, 4G059BB01
, 4G059BB04
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