蛍光体とその製造方法、薄膜の製造装置、およびEL素子

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石井陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113671
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294852
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】【課題】高輝度で信頼性の高い薄膜ないし蛍光体を提供し、ヒーターなどの加熱手段によらない処理を薄膜ないし蛍光体に施すことにより、薄膜ないし蛍光体の形成された下地構造にダメージを与えずに薄膜ないし蛍光体の輝度および信頼性を向上させる蛍光体、その製造方法、薄膜製造装置、およびEL素子を提供する。【解決手段】真空槽11と、この真空槽11内に少なくとも、薄膜原料を蒸発させるための蒸発源14と、蒸発源14から蒸発した薄膜原料が堆積する基板12と、前記基板12上に形成される薄膜に電子ビームを照射するための電子ビーム源61とを有する構成の薄膜の製造装置により、薄膜ないし蛍光体をアニールし、高輝度、高性能の蛍光体、薄膜を得る。

請求項（抜粋）：

電子ビーム照射処理により結晶化され、発光輝度が向上されている蛍光体。

IPC (8件)：

C09K 11/08 , C09K 11/00 , C09K 11/55 CPD , C09K 11/56 CPC , C09K 11/62 CQD , C09K 11/64 CQD , C09K 11/84 CQD , H05B 33/14

FI (8件)：

C09K 11/08 A , C09K 11/00 F , C09K 11/55 CPD , C09K 11/56 CPC , C09K 11/62 CQD , C09K 11/64 CQD , C09K 11/84 CQD , H05B 33/14 Z

Fターム (27件)：

3K007AB02 , 3K007AB18 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007CB03 , 3K007DA02 , 3K007DB01 , 3K007DB02 , 3K007DC02 , 3K007DC04 , 3K007EC04 , 3K007FA00 , 3K007FA01 , 3K007FA03 , 4H001CA04 , 4H001CF01 , 4H001XA08 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA16 , 4H001XA20 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA34 , 4H001XA38 , 4H001XA49 , 4H001XB21

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-081792
特開平3-133092
特開平4-259791

全件表示

前のページに戻る