特許

J-GLOBAL ID：200903064830060441

エッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 芦田 裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-178237
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022274
出願日： 1996年07月08日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】マスクパターンに従って化学的に安定な膜をスパッタエッチングするエッチング方法に関し、エッチング生成物の残差の除去等スパッタエッチングに基づく種々の問題を解決する。【解決手段】被エッチング物12の上にマスクパターン13を形成する工程と、ほぼ直進するイオンを第1の入射角度で照射してマスクパターン13から露出する被エッチング物12をスパッタエッチングし、除去する第1のエッチング工程と、第1の入射角度よりも大きい第2の入射角度でイオンを照射してスパッタエッチングし、第1のエッチング工程でマスクパターン13の側壁に付着したエッチング生成物14を除去する第2のエッチング工程とを有する。

請求項（抜粋）：

被エッチング物の上にマスクパターンを形成する工程と、ほぼ直進するイオンを第1の入射角度で照射して前記マスクパターンから露出する被エッチング物をスパッタエッチングし、除去する第1のエッチング工程と、前記第1の入射角度よりも大きい第2の入射角度で前記イオンを照射してスパッタエッチングし、前記第1のエッチング工程で前記マスクパターンの側壁に付着したエッチング生成物を除去する第2のエッチング工程とを有するエッチング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/461 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/461 ,  H01L 21/88 D ,  H01L 27/10 651