特許
J-GLOBAL ID：200903064831403873
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266948
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120442
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】シリンダ型ノード電極の安定な製造方法を提供する。【構成】MOSトランジスタ,ビット線7を形成し、全面に層間絶縁膜8を形成した後、全面に多結晶シリコン膜9,酸化シリコン膜10を形成する。ノードコンタクト孔11,スペーサとなる酸化シリコン膜12を形成し、N型の多結晶シリコン膜13を形成する。BPSG膜14を選択的に形成し、N型の多結晶シリコン膜15を形成した後、全面に酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜のエッチバックを行なってスペーサとなる酸化シリコン膜16を残留形成する。同様に、N型の多結晶シリコン膜17,酸化シリコン膜18を形成する。異方性エッチングにより多結晶シリコン膜を選択的に除去した後、酸化シリコン系絶縁膜を選択的にエッチング除去し、多結晶シリコン膜13a,15a,17aからなるシリンダ型ノード電極を形成する。
請求項（抜粋）：
メモリセルが1つのトランジスタと1つのスタックド型キャパシタとからなるDRAMのシリンダ型ノード電極の製造方法において、P型シリコン基板表面にNチャネル型MOSトランジスタを形成し、全面に層間絶縁膜,第1の多結晶シリコン膜,および第1の酸化シリコン系絶縁膜を順次形成し、ノードコンタクト孔を形成する工程と、前記ノードコンタクト孔の半径より薄い絶縁膜を全面に堆積し、前記絶縁膜のエッチバックを行ない、前記ノードコンタクノ孔の側面に前記絶縁膜からなる第1のスペーサ絶縁膜を残留形成する工程と、全面に少なくとも前記ノードコンタクト孔の実効的な半径と同程度の膜厚のN型の第2の多結晶シリコン膜を形成する工程と、全面に所定の厚さの第2の酸化シリコン系絶縁膜を堆積し、前記第2の酸化シリコン系絶縁膜のパターニングを行ない、少なくとも前記ノードコンタクト孔の直上を含む領域に選択的に前記第2の酸化シリコン系絶縁膜を残留形成する工程と、全面にN型の第3の多結晶シリコン膜と第3の酸化シリコン系絶縁膜とを形成し、前記第3の酸化シリコン系絶縁膜のエッチバックを行ない、前記第3の多結晶シリコン膜を介して残留形成された前記第2の酸化シリコン系絶縁膜の側面を覆う前記第3の酸化シリコン系絶縁膜からなる第2のスペーサ絶縁膜を残留形成する工程と、少なくとも多結晶シリコン膜のみにより覆われた部分の前記第1の酸化シリコン系絶縁膜の表面が充分に露出するまで、異方性エッチングにより多結晶シリコンを選択的に除去する工程と、少なくとも残留形成された前記第2の酸化シリコン膜並びに前記第3の酸化シリコン系絶縁膜からなる前記第2のスペーサ絶縁膜が完全に除去されるまで、酸化シリコン膜を選択的にエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 325 C
, H01L 27/10 325 M
