特許

J-GLOBAL ID：200903064835290704

金属配線の形成方法

発明者： 玉木 貞治 ,  山田 淑之 ,  梅村 佳男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236880
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 金メッキ膜の下のアンダーカットを低減または無くすことができる金属配線の形成方法を提供すること。【構成】 金メッキ膜32を形成後、レジストパターン22および残存密着膜26を順次除去して、素地金属膜16を露出させる。露出した素地金属膜16を、金メッキ膜24をマスクとしてエッチング除去し、バリア膜14を露出させる。次に、N2ガス等の不活性雰囲気中で、加熱処理を施し、金メッキ膜32を安定化させる。この加熱処理によって、金メッキ膜24直下の残存素地金属30は、金メッキ膜32中に固溶体として取り込まれ,Au-Pd合金の金メッキ膜32に変化する。次に、金メッキ膜32を耐酸化性マスクとして用いて、露出しているバリア膜14部分を酸化して酸化膜34を形成する。

請求項（抜粋）：

下地上に、バリア膜と該バリア膜上に形成した素地金属膜とを含む金属層を形成し、該金属層上の一部の領域に、電解メッキ技術を用いて金属配線となる金メッキ膜を形成する工程を有する金属配線形成方法において、形成した金メッキ膜を耐酸化性マスクとして用いて、露出している前記バリア膜部分を酸化して酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする金属配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 B