特許

J-GLOBAL ID：200903064836807360

感放射線組成物、パタン形成方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 逆水 登志夫 ,  白石 洋 ,  村井 二三夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055829
公開番号（公開出願番号）：特開平8-254819
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】高感度、高解像度で、かつ、安定にパタンを現出させるパタン形成方法を提供すること。【構成】基板101上に、放射線の照射により酸を生じる化合物と、酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する反応性を持った媒体と、耐環境性因子102Aとからなる感放射線組成物のレジスト層102を形成し、電子線103を用いてレジスト層102に所定のパタン潜像を形成し、このとき塩基性物質104による発生した酸の失活を防止し、次ぎに、アルカリ水溶液により現像し、レジストパタン106を形成するようにしたパタン形成方法。

請求項（抜粋）：

放射線の照射により酸を生じる化合物、酸を触媒とする反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する反応性を持った媒体及び耐環境性因子を有することを特徴とする感放射線組成物。

IPC (7件)：

G03F 7/004 501 ,  C08F 2/46 MDT ,  C08L101/12 LTB ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (8件)：

G03F 7/004 501 ,  C08F 2/46 MDT ,  C08L101/12 LTB ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/30 541 J ,  H01L 21/30 568