特許
J-GLOBAL ID：200903064841194962
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072423
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260688
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 耐圧性能及び順方向電圧降下特性が良好な半導体装置を提供する。【解決手段】 ショットキー接合領域Sを囲むよう設けられたガードリング層14の中央部を貫くように環状の溝15を削設し、この溝15の表面に絶縁物層16を形成することによって、ガードリング層14を厚くすることなくショットキー接合領域Sの周辺部分における電界集中を軽減でき、必然的にエピタキシャル層12の厚さを増す必要がなくなる。これにより耐圧性能を上げながら良好な順方向電圧降下特性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
高不純物濃度の一導電形の半導体基板と、この半導体基板上に形成されバリヤメタル層が上面に成層される前記半導体基板より低不純物濃度の一導電形のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層の表面に選択的に形成された反対導電形のガードリング層と、このガードリング層を表面から貫いて少なくとも前記エピタキシャル層までの深さを有する溝と、この溝の表面に形成された絶縁物層とを備えてなることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/48 G
, H01L 29/48 F
