特許

J-GLOBAL ID：200903064841723396

固体撮像装置

発明者： 唐澤 信浩
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196062
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】開口率を向上し、可視光領域の全域に渡る感度の均一性を向上できるCCDなどの固体撮像装置を提供する。【解決手段】第1導電型の単結晶シリコンからなる半導体層10と、半導体層内に形成され、光を吸収して信号電荷を生成し蓄積する第2導電型の電荷蓄積部14と、電荷蓄積部の少なくとも一部の上層において半導体層内に形成され、電荷蓄積部内の蓄積電荷に対する電位障壁を形成する第1導電型の反転層15と、反転層の上層に形成された導電層31bと、導電層の上層に形成され、光を吸収して信号電荷を生成する上部感光層(32,33,34)と、上部感光層の上層に形成された上部電極35と、半導体層内に形成され、電荷蓄積部内の蓄積電荷を転送する電荷転送部とを有し、上部感光層の最大吸収波長が、電荷蓄積部の最大吸収波長よりも短波長である構成とする。

請求項（抜粋）：

複数個の受光エレメントが集積された固体撮像装置であって、第1導電型の単結晶シリコンからなる半導体層と、前記半導体層内に形成され、光を吸収して信号電荷を生成し蓄積する第2導電型の電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部の少なくとも一部の上層において前記半導体層内に形成され、前記電荷蓄積部内の蓄積電荷に対する電位障壁を形成する第1導電型の反転層と、前記反転層の上層に形成された導電層と、前記導電層の上層に形成され、光を吸収して信号電荷を生成する上部感光層と、前記上部感光層の上層に形成された上部電極と、前記半導体層内に形成され、前記電荷蓄積部内の蓄積電荷を転送する電荷転送部とを有し、前記上部感光層の最大吸収波長が、前記電荷蓄積部の最大吸収波長よりも短波長である固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

Fターム (21件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA08 ,  4M118BA12 ,  4M118CA04 ,  4M118CA08 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118DA03 ,  4M118DA05 ,  4M118DA23 ,  4M118DB05 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024GA11 ,  5C024JA21