特許
J-GLOBAL ID：200903064842254667
常圧気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182792
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029232
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】半導体ウェーハの表面の温度を測定してヒータの加熱温度を制御し、半導体ウェーハを一定温度に保つことにより、気相成長膜の品質を一定にする。【構成】搬送プレート2の上に搭載した半導体ウェーハ1の表面温度を測定する赤外線温度測定器7を少くとも反応炉6内の数個所に設け、得られた半導体ウェーハ1の温度により搬送プレート2の下に設けたプレーヒータ3及びメインヒータ4の加熱温度を制御する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを搭載して順次反応炉内に搬送する搬送プレートと、前記搬送プレートの下部に設けて前記半導体ウェーハを加熱するヒータと、少くとも前記反応炉内に設けて前記半導体ウェーハの温度を測定し前記ヒータの加熱温度を制御するための赤外線温度測定器とを備えたことを特徴とする常圧気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/66
, H01L 21/68
