特許

J-GLOBAL ID：200903064842538207

高耐圧半導体装置

発明者： トーマス・ハーマン ,  アレクサンダー・リドウ
出願人/特許権者： インターナシヨナル・レクチフアイヤー・コーポレーシヨン
代理人 (1件)： 青山 葆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-019251
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199707
出願日： 1981年11月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 電極と電極周辺との下方における半導体内部の電界の湾曲を低減するフィールドプレートなどを簡便で効果的な構成にして、高圧する保護能力を向上した高圧半導体装置を提供する。【解決手段】 能動領域53は半導体基板30の最も外周に近い位置に配置され、ダイオードまたはトランジスタなどの役割を果すための能動領域であり、その外周部分から外側の上を第1の絶縁層50で覆う。能動領域53の上と第1の絶縁層50の上を比較的高導電率の多結晶シリコン層60で覆い、この多結晶シリコン60の外周部分から外側の上を第2の絶縁層65で覆う。多結晶シリコン層の上と第2の絶縁層65の上とを電極用の金属層73で覆い、金属層73の段付状の外周側部分と多結晶シリコン層60の段付状の外周側部分とで二重になったフィールドプレートを形成することにより、半導体基板30内部の電界の湾曲を低減して耐高圧性を向上する。また、第2の絶縁層65には、2つの間隙71・72を保護領域54の内側位置と外側位置に対応する位置に設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に形成したダイオードまたはトランジスタなどの能動的な役割を果すためのPN接合の能動領域を設けるとともに、前記能動領域の外周部分の上方に高耐圧特性を向上するためのフイールドプレートを設けた半導体装置において、前記表面の第1の内側箇所から外側の部分を覆う第1の絶縁層であつて、前記第1の内側箇所が、前記半導体基板の外周に最も近い前記能動領域の外周の部分に位置づけられているものと、前記第1の絶縁層の上の前記第1の内側箇所から外側の付近と、前記能動領域の上とを連続して覆う比較的高導電率の多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層の上の第2の内側箇所から外側の部分の上と、前記第1の絶縁層の上とを連続して覆う第2の絶縁層であって、前記第2の内側箇所が前記第1の内側箇所よりも内側に位置づけられているものと、前記第2の絶縁層の上と、前記多結晶シリコン層の上とを連続して覆うとともに、前記能動領域の外周よりも外側の箇所付近の上方部分まで延長した金属層であつて、前記金属層の外周部分の底面が2段の段付状に形成されているものと、前記多結晶シリコン層の外周部分と、前記金属層の外周部分とによつて、二重になつたフイールドプレートを形成する二重フイールドプレート手段とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/91 D