特許

J-GLOBAL ID：200903064842944825

窒化物系III-V族化合物半導体装置

発明者： 寺口 信明 ,  鈴木 彰
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203850
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017419
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 結晶性および電気的特性に優れた窒化物系III-V族化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 ヘテロ接合電界効果型トランジスタ1は、表面がC面であるSiC基板2の上にAlNバッファ層3、第1のGaN層4、AlGaNバリア層5、および第2のGaN層6をこの順番に積層して、GaN層6の上にソース電極7、ドレイン電極8およびゲート電極9形成する。このように、表面がC面であるSiC基板にAlN、GaNおよびAlGaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体材料を結晶成長させることによって、結晶性および周波数特性にすぐれたヘテロ接合電界効果型トランジスタの作製が可能である。

請求項（抜粋）：

表面がC面であるSiC基板上に窒化物系III-V族化合物半導体材料を結晶成長させたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 29/80 H

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077TK06 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体の製造方法及び半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298380   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-043960   出願人：松下電器産業株式会社
• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-326561   出願人：日本碍子株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280588   出願人：株式会社東芝