高耐圧半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-105149
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306937
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】耐圧構造の中で低温になると膜材料の導電率の低下により耐圧の低下のおこるフィールドプレート構造による欠点を除いた耐圧構造を提供する。【構成】低温で導電率の低下するフィールドプレートを用いないで、低不純物濃度層によるRESURF構造とガードリング構造を組み合わせる。ガードリング構造は、高耐圧品では大きな寸法を必要とするが、RESURF構造との併用でその難が避けられる。

請求項（抜粋）：

半導体基体の第一導電形層の表面層に形成された第二導電形の第一領域に第一主電極が接触し、半導体基体の第二主電極の等電位に固定される周縁部と第一領域の間に耐圧構造が設けられる高耐圧半導体装置において、耐圧構造が、第一領域に半導体基体の周縁部側で接触して第二導電形で低不純物濃度の第二領域、およびこの第二領域と半導体基体の周縁部との間に一つあるいは複数の第二導電形のガードリング領域をそれぞれ第一導電形層の表面層に設けてなることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/91 D , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 652 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-013664
特開昭59-141267
特開昭58-108771

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